Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SO-8
Polaridade do transistor: Canal N, Canal P
Número de canais: 2 canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 6.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 46 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 22 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2 W
Modo de canal: realce
Configuração: Dual
Altura: 1,75 mm
Comprimento: 4,9 mm
Tipo de transistor: 1 canal N, 1 canal P
Largura: 3,9 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
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