Detalhes do Produto
Transistor IRF740P
IRF740PBF TO-220 Mosfet Canal N 400 Volts
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 400 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 10 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 550 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 63 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,49 mm
Comprimento: 10,41 mm
Série: IRF
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,7 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 5,8 S
Tempo de queda: 24 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 27 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 50 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14 ns
Analise do número da peça: SIHF740-E3
Para mais informações, entre em contato.
IRF740PBF TO-220 Mosfet Canal N 400 Volts
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 400 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 10 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 550 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 63 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,49 mm
Comprimento: 10,41 mm
Série: IRF
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,7 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 5,8 S
Tempo de queda: 24 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 27 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 50 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14 ns
Analise do número da peça: SIHF740-E3
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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