Detalhes do Produto
Transistor IRF740B Fairchild
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 400 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 10 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 430 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 134 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tubo
Marca: onsemi / Fairchild
Configuração: Individual
Tempo de queda: 85 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 0,43 S
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 80 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tempo de retardo de desligamento típico: 125 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 20 ns
Largura: 4,7 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: onsemi
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 400 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 10 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 430 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 134 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tubo
Marca: onsemi / Fairchild
Configuração: Individual
Tempo de queda: 85 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 0,43 S
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 80 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tempo de retardo de desligamento típico: 125 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 20 ns
Largura: 4,7 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Fairchild |
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