Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SO-8
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 12 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 8.9 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 24 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 8 V, + 8 V
Qg - Carga na porta: 20 nC
Pd - Dissipação de potência: 2,5 W
Configuração: Single
Altura: 1,75 mm
Comprimento: 4,9 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 3,9 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
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