Detalhes do Produto
Transistor IRF8010
IRF8010PBF TO-220 Mosfet 100 Volts 80 Amperes 15mOhm 81nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 80 A
Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 15 mOhms
Vgs - Tensão da fonte de porta: - 20 V, + 20 V
Vgsª - Portão da Tensão Limiar-Fonte: 1,8 V
Qg - Taxa de Portão: 81 nC
Temperatura Mínima de Operação: - 55 C
Temperatura Máxima de Operação: + 175 C
Pd - Dissipação de energia: 260 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: solteiro
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf8010pbf.pdf
Para mais informações, entre em contato.
IRF8010PBF TO-220 Mosfet 100 Volts 80 Amperes 15mOhm 81nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 80 A
Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 15 mOhms
Vgs - Tensão da fonte de porta: - 20 V, + 20 V
Vgsª - Portão da Tensão Limiar-Fonte: 1,8 V
Qg - Taxa de Portão: 81 nC
Temperatura Mínima de Operação: - 55 C
Temperatura Máxima de Operação: + 175 C
Pd - Dissipação de energia: 260 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: solteiro
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf8010pbf.pdf
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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