Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220AB-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,4 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 4,5 V
Qg - Carga na porta: 24 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 74 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Tubo
Marca: Vishay Semiconductors
Configuração: Sozinho
Tempo de queda: 15 ns
Altura: 15,49 mm
Comprimento: 10,41 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 21 ns
Série: IRF
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 21 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 10 ns
Largura: 4,7 mm
Aliases de núm de peça: IRF830APBF-BE3
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