Detalhes do Produto
Transistor IRF8313TRPBF Smd
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa/Gabinete: SOIC-8
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 2 canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de condução contínua: 9,7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 21,6 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,35 V
Qg - Carga na porta: 6 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 2 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Dupla
Altura: 1,75 mm
Comprimento: 4,9 mm
Tipo de produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 2 canais N
Largura: 3,9 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa/Gabinete: SOIC-8
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 2 canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de condução contínua: 9,7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 21,6 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,35 V
Qg - Carga na porta: 6 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 2 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Dupla
Altura: 1,75 mm
Comprimento: 4,9 mm
Tipo de produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 2 canais N
Largura: 3,9 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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