Detalhes do Produto
Transistor IRF840
IRF840APBF TO-220 Mosfet 500 Volts Canal N
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 8 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 850 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 63 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Série: IRF
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 4,9 S
Tempo de queda: 20 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 23 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 49 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14 ns
Aliases de núm de peça: SIHF840-E3
http://www.vishay.com/docs/91065/91065.pdf
Para mais informações, entre em contato.
IRF840APBF TO-220 Mosfet 500 Volts Canal N
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 8 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 850 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 63 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Série: IRF
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 4,9 S
Tempo de queda: 20 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 23 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 49 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 14 ns
Aliases de núm de peça: SIHF840-E3
http://www.vishay.com/docs/91065/91065.pdf
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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