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Transistor IRFB31N20D = FB31N20D

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    Detalhes do Produto Transistor IRFB31N20D = FB31N20D
    IRFB31N20DPBF Mosfet 200V 31A 82mOhm 70nC

    Especificações:
    Fabricante: Infineon
    Categoria de Produto: MOSFET
    Tecnologia: Si
    Estilo de montagem: Através do orifício
    Embalagem / Caixa: TO-220-3
    Polaridade do transistor: Canal N
    Número de canais: 1 canal
    Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 200 V
    Id - Corrente de drenagem contínua: 31 A
    Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 82 mOhms
    Vgs - Tensão da fonte de porta: - 30 V, + 30 V
    Vgs th - Tensão de limiar de fonte de porta: 5,5 V
    Qg - Taxa de Portão: 70 nC
    Temperatura mínima de operação: - 55 C
    Temperatura máxima de operação: + 175 C
    Pd - Dissipação de energia: 200 W
    Modo de canal: Aprimoramento
    Embalagem: Vareta
    Configuração: solteiro
    Altura: 15,65 mm
    Comprimento: 10 mm
    Tipo de transistor: 1 canal N
    Largura: 4,4 mm
    Marca: Infineon / IR
    Transcondutância direta - Min: 17 S
    Tempo de outono: 10 ns
    Tipo de Produto: MOSFET
    Tempo de subida: 38 ns
    Subcategoria: MOSFETs
    Tempo de atraso típico para desligar: 26 ns
    Tempo de atraso típico para ligar: 16 ns

    Para mais informações, entre em contato.
    Transistor IRFB31N20D = FB31N20D
    Especificações Técnicas
    Marca Infineon

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