Detalhes do Produto
Transistor IRFB3307
IRFB3307PBF
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 75 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 120 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 120 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Para mais informações, entre em contato.
IRFB3307PBF
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 75 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 120 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 120 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 250 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
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Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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