Detalhes do Produto
Transistor IRFB33N15DPBF = FB33N15D
Mosfet 150V 1 Canal N 56mOhms 60nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 150 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 33 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 56 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 5,5 V
Qg - Carga na porta: 60 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 3,8 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: Smps MOSFET
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 14 S
Tempo de queda: 21 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 38 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 23 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 13 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet 150V 1 Canal N 56mOhms 60nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 150 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 33 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 56 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 5,5 V
Qg - Carga na porta: 60 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 3,8 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: Smps MOSFET
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 14 S
Tempo de queda: 21 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 38 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 23 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 13 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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