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Detalhes do Produto
Transistor IRFB4110
Mosfet 100 Volts 180 Amperes 4.5mOhm 150nC Qg
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 180 A
Rds On - Fonte de drenagem e resistência: 3,7 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 150 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 370 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: Infineon/IR
Configuração: Solteiro
Altura: 15,65 milímetros
Distanciamento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 4,4 mm
Analises do número da peça: IRFB4110PBF
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet 100 Volts 180 Amperes 4.5mOhm 150nC Qg
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 180 A
Rds On - Fonte de drenagem e resistência: 3,7 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 150 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 370 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: Infineon/IR
Configuração: Solteiro
Altura: 15,65 milímetros
Distanciamento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 4,4 mm
Analises do número da peça: IRFB4110PBF
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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