Transistor IRFB9N60A

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Detalhes do Produto Transistor IRFB9N60APBF
Mosfet 600 Volts Canal N

Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220AB-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 9.2 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 750 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 49 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 170 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 15,49 mm
Comprimento: 10,41 mm
Série: IRFB
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,7 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Tempo de queda: 22 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 30 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 13 ns
Aliases de núm de peça: IRFB9N60APBF-BE3

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Especificações Técnicas

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