Detalhes do Produto
Transistor IRFBE30
IRFBE30PBF TO-220 Mosfet 800 Volts Canal N
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Atraves de Orificio
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 4.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 78 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15.49 mm
Comprimento: 10.41 mm
Série: IRFBE
Tipo de transistor: 1 Canal N
Largura: 4.7 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 2.5 S
Tempo de queda: 30 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 33 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 82 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 12 ns
http://www.vishay.com/docs/91118/91118.pdf
Para mais informações, entre em contato.
IRFBE30PBF TO-220 Mosfet 800 Volts Canal N
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Atraves de Orificio
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 4.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 78 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15.49 mm
Comprimento: 10.41 mm
Série: IRFBE
Tipo de transistor: 1 Canal N
Largura: 4.7 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 2.5 S
Tempo de queda: 30 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 33 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 82 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 12 ns
http://www.vishay.com/docs/91118/91118.pdf
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Vishay |
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