Detalhes do Produto
Transistor IRFBG30PBF
Especificações
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220AB-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 1 kV
Id - Corrente de drenagem contínua: 3.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 80 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: realce
Marca: Vishay Semiconductors
Configuração: Single
Tempo de queda: 29 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25 ns
Série: IRFBG
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 89 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 12 ns
Aliases de núm de peça: IRFBG30PBF-BE3
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220AB-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 1 kV
Id - Corrente de drenagem contínua: 3.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 80 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: realce
Marca: Vishay Semiconductors
Configuração: Single
Tempo de queda: 29 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25 ns
Série: IRFBG
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 89 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 12 ns
Aliases de núm de peça: IRFBG30PBF-BE3
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Especificações Técnicas
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