Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-5
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 2 canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 9.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 80 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 19 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 21 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Dual
Altura: 16,15 mm
Comprimento: 10,65 mm
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Largura: 4,85 mm
Marca: Infineon / IR
Tempo de queda: 4 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 8 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 18 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 8,4 ns
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