Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 50 A
Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 40 mOhms
Vgs - Tensão da fonte de porta: - 20 V, + 20 V
Vgsª - Portão da Tensão Limiar-Fonte: 1,8 V
Qg - Taxa de Portão: 156 nC
Temperatura Mínima de Operação: - 55 C
Temperatura Máxima de Operação: + 175 C
Pd - Dissipação de energia: 300 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: solteiro
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5,31 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância direta - Min: 27 S
Tempo de outono: 48 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 60 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de atraso típico para desligar: 55 ns
Tempo de atraso típico para ligar: 17 ns
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