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Detalhes do Produto
Transistor IRFP350
IRFP350PBF
Mosfet 400 Volts Canal N HEXFET
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 400 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 16 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 300 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 150 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 190 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,82 mm
Comprimento: 15,87 mm
Série: IRFP
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5,31 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 10 S
Tempo de queda: 47 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 49 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 87 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 16 ns
http://www.vishay.com/docs/91225/91225.pdf
Para mais informações, entre em contato.
IRFP350PBF
Mosfet 400 Volts Canal N HEXFET
Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 400 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 16 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 300 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 150 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 190 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,82 mm
Comprimento: 15,87 mm
Série: IRFP
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5,31 mm
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 10 S
Tempo de queda: 47 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 49 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 87 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 16 ns
http://www.vishay.com/docs/91225/91225.pdf
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Vishay |
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