Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 250 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 57 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 33 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 150 nC
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 360 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5,31 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 100 S
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
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