Detalhes do Produto
Transistor IRFR120N = FR120N
Mosfet 100V 1 Canal N HEXFET 210mOhms 16,7nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 9.4 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 210 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 25 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 48 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Largura: 6,22 mm
Marca: Infineon / IR
Tempo de queda: 23 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 23 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 32 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 4,5 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet 100V 1 Canal N HEXFET 210mOhms 16,7nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 9.4 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 210 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 25 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 48 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Largura: 6,22 mm
Marca: Infineon / IR
Tempo de queda: 23 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 23 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 32 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 4,5 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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