Detalhes do Produto
Transistor IRFR3910 TO-252-3
Especificações
Fabricante: Ifineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 15 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 115 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 29,3 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 52 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: Infineon/IR
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 25 ns
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 27 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Tempo de retardo do desligamento típico: 37 ns
Tempo típico de 6.4 ns
Largura: 6,22 mm
Aliases de número de peça: IRFR3910TRPBF SP001560674
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Ifineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 15 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 115 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 29,3 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 52 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: Infineon/IR
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 25 ns
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 27 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Tempo de retardo do desligamento típico: 37 ns
Tempo típico de 6.4 ns
Largura: 6,22 mm
Aliases de número de peça: IRFR3910TRPBF SP001560674
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Especificações Técnicas
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