Detalhes do Produto
Transistor IRFR5410 To-252
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 13 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 205 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,4 V
Qg - Carga na porta: 58 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 66 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 6,22 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 13 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 205 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,4 V
Qg - Carga na porta: 58 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 66 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 6,22 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
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Especificações Técnicas
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