Detalhes do Produto
Transistor IRFS3107-7PPBF = FS3107-7P
Mosfet 75V 1 Canal N HEXFET 2,6mOhms 160nC
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-263-7
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 75 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 260 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,1 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 160 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 370 W
Embalagem: Tubo
Configuração: Sozinho
Altura: 4,4 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 9,25 mm
Marca: Infineon Technologies
Transcondutância em avanço - Mín: 260 S
Tempo de queda: 64 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 80 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 100 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 17 ns
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