Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 62 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 26 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 70 nC
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 330 W
Modo de canal: Melhoria
Configuração: Single
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 6,22 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 49 S
Tempo de queda: 31 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 20 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 800
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 21 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 33 ns
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