Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de Produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Embalagem / Caixa: TO-263-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 28 A
Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 52 mOhms
Vgs - Tensão da fonte de porta: - 20 V, + 20 V
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima de operação: + 175 C
Pd - Dissipação de energia: 107 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Bobina
Configuração: solteiro
Altura: 4,83 mm
Comprimento: 10,67 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Largura: 9,65 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Transcondutância direta - Min: 22,56 S
Tempo de outono: 56 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 18 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de atraso típico para desligar: 90 ns
Tempo de atraso típico para ligar: 18 ns
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