Detalhes do Produto
Transistor IRG71C28U
Transistor IGBT 600 Volts
Este IGBT é projetado especificamente para aplicações em painéis de plasma.
Este dispositivo utiliza tecnologia IGBT de trincheira avançada para obter baixo V CE(on) e baixo índice de EPULSE por área de silício, o que melhora a eficiência do painel.
Recursos adicionais são temperatura de junção operacional de 150°C e alta capacidade de corrente de pico repetitivo.
Esses recursos se combinam para tornar este IGBT um dispositivo altamente eficiente, robusto e confiável para aplicações PDP.
Para mais informações, entre em contato.
Transistor IGBT 600 Volts
Este IGBT é projetado especificamente para aplicações em painéis de plasma.
Este dispositivo utiliza tecnologia IGBT de trincheira avançada para obter baixo V CE(on) e baixo índice de EPULSE por área de silício, o que melhora a eficiência do painel.
Recursos adicionais são temperatura de junção operacional de 150°C e alta capacidade de corrente de pico repetitivo.
Esses recursos se combinam para tornar este IGBT um dispositivo altamente eficiente, robusto e confiável para aplicações PDP.
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Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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