Detalhes do Produto
Transistor IRGB20B60PD1
Transistor IGBT 600V Warp2 150kHz
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.05 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 40 A
Pd - Dissipação de potência: 215 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 40 A
Altura: 8,77 mm
Comprimento: 10,54 mm
Largura: 4,69 mm
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações, entre em contato.
Transistor IGBT 600V Warp2 150kHz
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.05 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 40 A
Pd - Dissipação de potência: 215 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 40 A
Altura: 8,77 mm
Comprimento: 10,54 mm
Largura: 4,69 mm
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
|---|
Compartilhe: