Detalhes do Produto
Transistor IRGPS60B120KD
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-274-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1,2 kV
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,33 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 105 A
Pd - Dissipação de potência: 595 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 120 A
Altura: 20,3 mm
Comprimento: 15,6 mm
Largura: 5 mm
Marca: Infineon / IR
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-274-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1,2 kV
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,33 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 105 A
Pd - Dissipação de potência: 595 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 120 A
Altura: 20,3 mm
Comprimento: 15,6 mm
Largura: 5 mm
Marca: Infineon / IR
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
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Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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