Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 48 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 26 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 16 V, + 16 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 93,3 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 200 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: Infineon/IR
Configuração: Solteiro
Altura: 15,65 milímetros
Distanciamento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 4,4 mm
Aliases de número de peça: IRL2910PBF
Compartilhe: