Detalhes do Produto
Transistor IRLML6402TR Smd = E4B5C
Especificações
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SOT-23-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 20 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 3.7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 65 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 12 V, + 12 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 8 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 1,3 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 1,1 mm
Comprimento: 2,9 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 1,3 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SOT-23-3
Polaridade do transistor: Canal P
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 20 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 3.7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 65 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 12 V, + 12 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 8 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 1,3 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 1,1 mm
Comprimento: 2,9 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 1,3 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
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Especificações Técnicas
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