Detalhes do Produto
Transistor IRLR024N
Mosfet
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 17 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 110 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 16 V, + 16 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 10 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 38 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 6,22 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Analise do número da peça: IRLR024NTRLPBF
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 17 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 110 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 16 V, + 16 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 10 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 38 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 6,22 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Analise do número da peça: IRLR024NTRLPBF
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Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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