Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 28 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 65 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 16 V, + 16 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 16,7 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 46 W
Modo de canal: realce
Marca: Infineon / IR
Configuração: Single
Tempo de queda: 29 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 11 S
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 100 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Tempo de retardo de desligamento típico: 21 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 8,9 ns
Largura: 6,22 mm
Aliases de núm de peça: IRLR2705TRPBF SP001578864
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