Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-251-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 10 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 210 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 16 V, + 16 V
Qg - Carga na porta: 5,3 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 28 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 6,22 mm
Comprimento: 6,73 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Largura: 2,38 mm
Marca: Infineon / IR
Tempo de queda: 23 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 47 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 12 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 6,5 ns
Aliases de núm de peça: SP001553250
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