Detalhes do Produto
Transistor IXFH60N50P3 Ixys
Especificações
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 60 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 100 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 5 V
Qg - Carga na porta: 96 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 1,04 mW
Modo de canal: realce
Nome comercial: HiPerFET
Configuração: Single
Série: IXFH60N50
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: IXYS
Transcondutância em avanço - Mín: 60 S, 35 S
Tempo de queda: 8 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 16 ns
Subcategoria: MOSFETs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 60 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 100 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 5 V
Qg - Carga na porta: 96 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 1,04 mW
Modo de canal: realce
Nome comercial: HiPerFET
Configuração: Single
Série: IXFH60N50
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: IXYS
Transcondutância em avanço - Mín: 60 S, 35 S
Tempo de queda: 8 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 16 ns
Subcategoria: MOSFETs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Ixys |
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