Detalhes do Produto
Transistor IXFN80N50
IXFN80N50 SOT-227-4
MOSFET 500V 80A
Caracteristicas:
Polaridade do transistor: Canal N
Corrente de Dreno Contínua Id: 80A
Fonte de dreno Tensão Vds: 500V
Resistência On Rds (on): 0,055ohm Rds (on)
Tensão de teste Vgs: 10V
Tensão do limiar Vgs: 4.5V
Dissipação de energia Pd: 780W
Transistor Estilo da caixa: ISOTOP
Número de pinos: 4Pinos
Temperatura de operação Max: 150° C
Gama de produtos: Automotivo
O IXFN80N50 é um modo de aprimoramento de canal N O Power MOSFET apresenta miniBLOC, com isolamento de nitreto de alumínio, baixo processo RDS (on) HDMOSTM, estrutura robusta de célula de polissilício e classificação de comutação indutiva não bloqueada (UIS).
Retificador intrínseco rápido Alta classificação dv / dt
Estrutura de célula de portão de polissilício robusto.
Fácil de montar.
Economia de espaço.
Alta densidade de potência.
Aplicações:
Gerenciamento de energia, iluminação, acionamento e controle de motores.
Para mais informações, entre em contato.
IXFN80N50 SOT-227-4
MOSFET 500V 80A
Caracteristicas:
Polaridade do transistor: Canal N
Corrente de Dreno Contínua Id: 80A
Fonte de dreno Tensão Vds: 500V
Resistência On Rds (on): 0,055ohm Rds (on)
Tensão de teste Vgs: 10V
Tensão do limiar Vgs: 4.5V
Dissipação de energia Pd: 780W
Transistor Estilo da caixa: ISOTOP
Número de pinos: 4Pinos
Temperatura de operação Max: 150° C
Gama de produtos: Automotivo
O IXFN80N50 é um modo de aprimoramento de canal N O Power MOSFET apresenta miniBLOC, com isolamento de nitreto de alumínio, baixo processo RDS (on) HDMOSTM, estrutura robusta de célula de polissilício e classificação de comutação indutiva não bloqueada (UIS).
Retificador intrínseco rápido Alta classificação dv / dt
Estrutura de célula de portão de polissilício robusto.
Fácil de montar.
Economia de espaço.
Alta densidade de potência.
Aplicações:
Gerenciamento de energia, iluminação, acionamento e controle de motores.
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Ixys |
|---|
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