Especificações
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 150 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 76 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 20 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4,5 V
Qg - Carga na porta: 97 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 350 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: HiPerFET
Embalagem: Tubo
Marca: IXYS
Configuração: Single
Tempo de queda: 14 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 50 S
Altura: 16 mm
Comprimento: 10,66 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 19 ns
Série: IXFP76N15
Subcategoria: MOSFETs
Tipo: TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
Tempo de retardo de desligamento típico: 25 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 17 ns
Largura: 4,83 mm
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