Detalhes do Produto
Transistor IXGQ90N33TCD1
Transistor IGBT
Especificações:
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3P
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 330 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.8 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 90 A
Pd - Dissipação de potência: 200 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Vareta
Marca: IXYS
Corrente de dispersão do gate - emissor: 200 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações, entre em contato.
Transistor IGBT
Especificações:
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-3P
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 330 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.8 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 90 A
Pd - Dissipação de potência: 200 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Vareta
Marca: IXYS
Corrente de dispersão do gate - emissor: 200 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Ixys |
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