Detalhes do Produto
Transistor IXTH88N30P
Especificações:
Fabricante: IXYS
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 300 V
Id - Corrente de condução contínua: 88 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 40 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,5 V
Qg - Carga na porta: 180 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 600 W
Modo de canal: Aprimoramento
Série: IXTH88N30
Marca: IXYS
Configuração: Único
Tempo de queda: 25 ns
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 24 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 96 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 25 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações:
Fabricante: IXYS
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 300 V
Id - Corrente de condução contínua: 88 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 40 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,5 V
Qg - Carga na porta: 180 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 600 W
Modo de canal: Aprimoramento
Série: IXTH88N30
Marca: IXYS
Configuração: Único
Tempo de queda: 25 ns
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 24 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 96 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 25 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Ixys |
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