Detalhes do Produto
Transistor IXTQ76N25T
Mosfet 76 Amperes 250 Volts 39 Rds
Especificações:
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-3P-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 300 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 76 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 42 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 5 V
Qg - Carga na porta: 92 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 460 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: HiPerFET
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,3 mm
Comprimento: 15,8 mm
Série: IXTQ76N25
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: Trench Power MOSFET
Largura: 4,9 mm
Marca: IXYS
Transcondutância em avanço - Mín: 43 S
Tempo de queda: 29 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 56 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 22 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet 76 Amperes 250 Volts 39 Rds
Especificações:
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-3P-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 300 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 76 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 42 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 5 V
Qg - Carga na porta: 92 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 460 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: HiPerFET
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,3 mm
Comprimento: 15,8 mm
Série: IXTQ76N25
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: Trench Power MOSFET
Largura: 4,9 mm
Marca: IXYS
Transcondutância em avanço - Mín: 43 S
Tempo de queda: 29 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 56 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 22 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Ixys |
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