Detalhes do Produto
Transistor K10A60D
Mosfet Canal N 600 Volts 10 Amperes
Especificações:
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 10 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 750 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 25 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 45 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: DTMOSIV
Embalagem: vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15 mm
Comprimento: 10 mm
Série: TK10A60D
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: Transistor de efeito de campo Silicon N Channel MOS Type
Largura: 4,5 mm
Marca: Toshiba
Transcondutância em avanço - Mín: 1,5 S
Tempo de queda: 15 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 22 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 100 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 55 ns
Para mais informações, entre em contato.
Mosfet Canal N 600 Volts 10 Amperes
Especificações:
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 10 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 750 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 25 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 45 W
Modo de canal: Melhoria
Nome comercial: DTMOSIV
Embalagem: vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15 mm
Comprimento: 10 mm
Série: TK10A60D
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: Transistor de efeito de campo Silicon N Channel MOS Type
Largura: 4,5 mm
Marca: Toshiba
Transcondutância em avanço - Mín: 1,5 S
Tempo de queda: 15 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 22 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 100 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 55 ns
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | Infineon |
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