Especificações:
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 9.7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 327 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3,7 V
Qg - Carga na porta: 20 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 30 W
Modo de canal: realce
Nome comercial: DTMOSIV
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15 mm
Comprimento: 10 mm
Série: TK10A60W
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,5 mm
Marca: Toshiba
Tempo de queda: 5,5 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 22 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 75 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 45 ns
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