Especificações:
Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1,5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 2,4 V
Qg - Carga na porta: 11 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 35 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15 mm
Comprimento: 10 mm
Série: TK5A50D
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,5 mm
Marca: Toshiba
Tempo de queda: 8 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 18 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 55 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 40 ns
Compartilhe: