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Detalhes do Produto
Transistor MBQ60T65PES = 60T65PES
IGBT MagnaChip
Características:
Comutação de alta velocidade e baixa perda de energia
VCE(sat) = 1,85V @ IC = 60A
Eoff = 0,53mJ @ TC = 25°C
Alta impedância de entrada
trr = 110ns (típ.) @diF/dt = 500A / μs
Temperatura máxima da junção 175°C
Para mais informações, entre em contato.
IGBT MagnaChip
Características:
Comutação de alta velocidade e baixa perda de energia
VCE(sat) = 1,85V @ IC = 60A
Eoff = 0,53mJ @ TC = 25°C
Alta impedância de entrada
trr = 110ns (típ.) @diF/dt = 500A / μs
Temperatura máxima da junção 175°C
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
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