Detalhes do Produto
Transistor MCR100-6
Especificações Elétricas do MCR100-6
Tipo: SCR
Potência máxima do portão de pico (P GM ): 0,01 W
Pico repetitivo máximo e tensão de estado desligado (V DRM ): 800 V
Corrente de estado média máxima (I T(AVR) ): 0,8 A
Corrente máxima RMS no estado (I T(RMS) ): 0,8 A
Corrente no estado de pico de pico não repetitivo (I TSM ): 10 A
Taxa repetitiva crítica de aumento da corrente no estado ligado (dI/dt): 50 A/µs
Taxa crítica de aumento da tensão de estado desligado (dV/dt): 35 V/µs
Junção de operação máxima e faixa de temperatura de armazenamento (T stg , T j ): -40..110 °C
Junção para resistência térmica ambiente (R TH(ja) ): 200 K/W
Resistência térmica de junção para caixa (R TH(jc) ): 75 K/W
Tensão da porta de disparo (V GT ): 1 V
Queda de tensão no estado de pico (V TM ): 1,35 V
Corrente da porta de disparo (I GT ): 0,2 mA
Corrente de retenção (I H ): 1 mA
Pacote:TO-92 ou SOT-89
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Elétricas do MCR100-6
Tipo: SCR
Potência máxima do portão de pico (P GM ): 0,01 W
Pico repetitivo máximo e tensão de estado desligado (V DRM ): 800 V
Corrente de estado média máxima (I T(AVR) ): 0,8 A
Corrente máxima RMS no estado (I T(RMS) ): 0,8 A
Corrente no estado de pico de pico não repetitivo (I TSM ): 10 A
Taxa repetitiva crítica de aumento da corrente no estado ligado (dI/dt): 50 A/µs
Taxa crítica de aumento da tensão de estado desligado (dV/dt): 35 V/µs
Junção de operação máxima e faixa de temperatura de armazenamento (T stg , T j ): -40..110 °C
Junção para resistência térmica ambiente (R TH(ja) ): 200 K/W
Resistência térmica de junção para caixa (R TH(jc) ): 75 K/W
Tensão da porta de disparo (V GT ): 1 V
Queda de tensão no estado de pico (V TM ): 1,35 V
Corrente da porta de disparo (I GT ): 0,2 mA
Corrente de retenção (I H ): 1 mA
Pacote:TO-92 ou SOT-89
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
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