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Detalhes do Produto
Transistor MJ802
Transistor bipolar de junção 30A 90V 200W NPN
Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa/Gabinete: TO-204-2
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Corrente do coletor DC máxima: 30 A
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 90 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 4 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 800 mV
Pd - Dissipação de potência: 200 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 2 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Bandeja
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 30 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 25
Altura: 8,51 mm
Comprimento: 39,37 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Largura: 26,67 mm
Para mais informações, entre em contato.
Transistor bipolar de junção 30A 90V 200W NPN
Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do furo
Caixa/Gabinete: TO-204-2
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Corrente do coletor DC máxima: 30 A
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 90 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 4 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 800 mV
Pd - Dissipação de potência: 200 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 2 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Bandeja
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 30 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 25
Altura: 8,51 mm
Comprimento: 39,37 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Largura: 26,67 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | ON Semi |
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