Detalhes do Produto
Transistor MJD253T4G
Transistor Bipolar de Junção 4A 100V 12.5W PNP
Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 600 mV
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 1,4 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJD253
Embalagem: Bobina
Embalagem: Fita Cortada
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 4 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
Altura: 2,38 mm
Comprimento: 6,73 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 6,22 mm
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar de Junção 4A 100V 12.5W PNP
Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de interação - BJT
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Individual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 7 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 600 mV
Corrente do coletor DC máxima: 4 A
Pd - Dissipação de potência: 1,4 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJD253
Embalagem: Bobina
Embalagem: Fita Cortada
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 4 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
Altura: 2,38 mm
Comprimento: 6,73 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 6,22 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
| Marca | ON Semi |
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