Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 120 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 120 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0,5 V
Corrente do coletor DC máxima: 8 A
Pd - Dissipação de potência: 50 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 30 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Vareta
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 8 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 40
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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