Detalhes do Produto
Transistor MJE2955T
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 70 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,1 V
Corrente do coletor DC máxima: 10 A
Pd - Dissipação de potência: 75 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 2 MHz
Temperatura operacional mínima: -
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJE2955T
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínuo: 10 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 20
hFE máx. ganho de corrente DC: 70
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,6 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 70 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,1 V
Corrente do coletor DC máxima: 10 A
Pd - Dissipação de potência: 75 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 2 MHz
Temperatura operacional mínima: -
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJE2955T
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínuo: 10 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 20
hFE máx. ganho de corrente DC: 70
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,6 mm
Para mais informações, entre em contato.
Especificações Técnicas
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