Detalhes do Produto
Transistor MJE2955T
Transistor Bipolar
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de Produto: Transistores bipolares - BJT
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: solteiro
Coletor- Tensão do Emissor VCEO Máx.: 60 V
Coletor - Tensão Base VCBO: 70 V
Emissor - Tensão Base VEBO: 5 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 1,1 V
Corrente máxima do coletor DC: 10 A
Pd - Dissipação de energia: 75 W
Produto de ganho de largura de banda fT: 2 MHz
Temperatura Mínima de Operação: - 55 C
Temperatura Máxima de Operação: + 150 C
Série: MJE2955T
Embalagem: Vareta
Ganho de corrente DC hFE máx.: 70
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Corrente de coletor contínua: 10 A
Coletor DC / Ganho de base hfe Min: 20
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Para mais informações, entre em contato.
Transistor Bipolar
Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de Produto: Transistores bipolares - BJT
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: solteiro
Coletor- Tensão do Emissor VCEO Máx.: 60 V
Coletor - Tensão Base VCBO: 70 V
Emissor - Tensão Base VEBO: 5 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 1,1 V
Corrente máxima do coletor DC: 10 A
Pd - Dissipação de energia: 75 W
Produto de ganho de largura de banda fT: 2 MHz
Temperatura Mínima de Operação: - 55 C
Temperatura Máxima de Operação: + 150 C
Série: MJE2955T
Embalagem: Vareta
Ganho de corrente DC hFE máx.: 70
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Corrente de coletor contínua: 10 A
Coletor DC / Ganho de base hfe Min: 20
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
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Especificações Técnicas
| Marca | Sgs |
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