Especificações
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: JFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: Canal N
Configuração: Sozinho
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 25 V
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: - 25 V
Tensão de corte do portão - fonte: - 8 V
Corrente da fonte de drenagem a Vgs = 0: 2 mA a 20 mA
Id - Corrente de drenagem contínua: 10 mA
Pd - Dissipação de potência: 350 mW
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 125 C
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,2 mm
Tipo: JFET
Largura: 4,19 mm
Marca: ON Semiconductor
Voltagem do portão de dreno máximo: 25 V
Tipo de Produto: JFETs
Subcategoria: Transistores
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